A Samsung kifejlesztette az iparág legnagyobb teljesítményű UFS 4.0 memóriáját, amely a Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) legújabb szabványait alkalmazza. Az új tárolómegoldás memóriasávszélessége 23,2 Gbps/sáv, ami kétszerese annak, amit a jelenlegi UFS 3.1 tud nyújtani.
Az új memória A Samsung 7. generációs V-NAND-ját és egy szabadalmaztatott vezérlőt használja, így akár 4200 MB/s és 2800 MB/s szekvenciális olvasási és írási sebességet biztosít. Ezenkívül 46%-kal hatékonyabb, mint az UFS 3.1, 6 MB/s/milliamp adatátviteli sebességet mér. Ez azt jelenti, hogy az akkumulátor élettartama a megnövekedett tárolási sebesség ellenére is jobb lesz.
Míg a méretváltozatok akár 1 TB-ot is elérhetnek, a chip viszonylag kompakt, 11 mm x 13 mm x 1 mm méretű lesz. A gyártás várhatóan 2022 harmadik negyedévében indul. Az új memória a JEDEC igazgatótanácsának jóváhagyását is megkapta.
A Samsung azt állítja, hogy az új megoldás tökéletes az 5G telefonokhoz, tekintettel arra, hogy mennyi adatot tudnak majd letölteni és tárolni, köszönhetően a gyorsabb internetnek. A cég azt is megjegyzi, hogy az új memóriának jól kell működnie az AR-vel. VR és autóipari alkalmazások a jövőben.
Gyors összefoglaló
| Az UFS 4.0 memória sávszélessége 23,2 Gbps, kétszerese az UFS 3.1-nek |
| A chip szekvenciális olvasási és írási sebessége 4200 MB/s, illetve 2800 MB/s. |
| Ezenkívül 46%-kal energiatakarékosabb az UFS 3.1-hez képest, 6 MB/s/mA adatátviteli sebességgel. |
A hírekben: Új ransomware-törzs az APT-38 (Lazarus) kiberbűnözői csoportnak tulajdonítható
